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AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
51
左右 63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
5.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
51
读取速度,GB/s
18.4
12.5
写入速度,GB/s
12.3
5.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
1081
AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
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