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AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
16
19
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.7
18.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.8
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
16
读取速度,GB/s
18.4
21.7
写入速度,GB/s
12.3
17.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
3872
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Jinyu 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
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