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AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
26
左右 27% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.2
18.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
26
读取速度,GB/s
18.4
19.2
写入速度,GB/s
12.3
15.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
3865
AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB RAM的比较
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
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