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AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
38
左右 50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
10.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
38
读取速度,GB/s
18.4
14.0
写入速度,GB/s
12.3
10.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
2407
AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
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