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AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
89
左右 79% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
89
读取速度,GB/s
18.4
13.6
写入速度,GB/s
12.3
6.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
1518
AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
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Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
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