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AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
37
左右 49% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.4
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
37
读取速度,GB/s
18.4
15.2
写入速度,GB/s
12.3
12.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
2863
AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
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