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AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
27
左右 30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
18
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
14.5
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
27
读取速度,GB/s
18.4
18.0
写入速度,GB/s
12.3
14.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
3531
AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
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