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AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
43
左右 56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.3
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
43
读取速度,GB/s
18.4
15.4
写入速度,GB/s
12.3
13.3
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
2776
AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
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