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AMD R538G1601U2S 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs Maxsun MSD48G32Q3 8GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
94
左右 80% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
94
读取速度,GB/s
18.4
13.5
写入速度,GB/s
12.3
11.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
2771
AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
AMD R538G1601U2S 8GB
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G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
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Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
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