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AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
37
左右 49% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
37
读取速度,GB/s
18.4
14.7
写入速度,GB/s
12.3
11.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
2698
AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB RAM的比较
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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
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