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AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
30
左右 37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
10.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
30
读取速度,GB/s
18.4
10.9
写入速度,GB/s
12.3
10.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
2587
AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
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