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AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
58
左右 67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
17.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
9.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
58
读取速度,GB/s
18.4
17.7
写入速度,GB/s
12.3
9.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
1968
AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
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