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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
29
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
29
读取速度,GB/s
14.2
17.8
写入速度,GB/s
10.0
14.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
3597
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
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Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
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