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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
32
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
32
读取速度,GB/s
14.2
15.3
写入速度,GB/s
10.0
10.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
2706
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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