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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.5
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
28
读取速度,GB/s
14.2
18.5
写入速度,GB/s
10.0
14.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
3540
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston XN205T-MIE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
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