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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.5
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
16.7
18.5
写入速度,GB/s
11.8
14.4
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2756
3540
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
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