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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
30
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.1
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
30
读取速度,GB/s
14.2
17.1
写入速度,GB/s
10.0
13.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
3014
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
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