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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
45
左右 42% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
45
读取速度,GB/s
14.2
16.2
写入速度,GB/s
10.0
14.1
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
3027
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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