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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
比较
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
总分
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
总分
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
差异
规格
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
25
读取速度,GB/s
13.2
19.1
写入速度,GB/s
8.4
16.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2163
3845
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
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