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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.1
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.9
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
28
读取速度,GB/s
14.2
19.1
写入速度,GB/s
10.0
16.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
3859
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB RAM的比较
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
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