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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
26
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
24
读取速度,GB/s
14.2
16.6
写入速度,GB/s
10.0
12.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
2969
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
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