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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
38
左右 32% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
38
读取速度,GB/s
14.2
14.7
写入速度,GB/s
10.0
12.4
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
2908
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB RAM的比较
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
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