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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
30
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
30
读取速度,GB/s
14.2
16.0
写入速度,GB/s
10.0
12.3
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
2709
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
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