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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
50
左右 48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
8.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
50
读取速度,GB/s
14.2
10.6
写入速度,GB/s
10.0
8.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
2393
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
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