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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
58
左右 55% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.0
9.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.5
14.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
58
读取速度,GB/s
14.2
18.5
写入速度,GB/s
10.0
9.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
1998
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kllisre KHX1866C10D3/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
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