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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

総合得点
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AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

総合得点
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Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

AMD R538G1601U2S-UO 8GB 考慮すべき理由
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 58
    周辺 55% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.0 left arrow 9.5
    テスト平均値
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB 考慮すべき理由
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.5 left arrow 14.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 58
  • 読み出し速度、GB/s
    14.2 left arrow 18.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.0 left arrow 9.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2634 left arrow 1998

AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAMの比較

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SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
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メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
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