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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
29
左右 10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
9.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
29
读取速度,GB/s
14.2
12.5
写入速度,GB/s
10.0
9.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
2609
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
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