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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.0
8.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
26
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
14.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
23
读取速度,GB/s
14.2
16.4
写入速度,GB/s
10.0
8.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
2532
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
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SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
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