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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
比较
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
总分
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
总分
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.7
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
41
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
13.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
33
读取速度,GB/s
13.9
15.0
写入速度,GB/s
9.7
8.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2366
2524
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM的比较
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V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB RAM的比较
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
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