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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
39
左右 33% 更低的延时
需要考虑的原因
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
39
读取速度,GB/s
14.2
14.3
写入速度,GB/s
10.0
10.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
2159
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
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