RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Comparez
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Note globale
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Note globale
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
39
Autour de 33% latence réduite
Raisons de considérer
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
10.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
39
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
10.0
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2634
2159
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link