RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
104
Autour de -215% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
33
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3157
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link