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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
差异
规格
评论
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需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
37
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
29
读取速度,GB/s
15.4
16.9
写入速度,GB/s
9.2
13.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
3285
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
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