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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
37
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
24
读取速度,GB/s
13.9
17.1
写入速度,GB/s
8.6
12.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3257
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB
Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
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