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AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
30
左右 37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
8500
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
19
30
读取速度,GB/s
18.4
10.6
写入速度,GB/s
12.3
6.8
内存带宽,mbps
12800
8500
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
1479
AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
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