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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
37
左右 -6% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
35
读取速度,GB/s
15.4
14.5
写入速度,GB/s
9.2
10.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2664
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
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