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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
8.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
37
左右 -42% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
26
读取速度,GB/s
15.4
14.1
写入速度,GB/s
9.2
8.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2359
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
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