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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
37
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
30
读取速度,GB/s
15.4
17.7
写入速度,GB/s
9.2
14.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2834
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较
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PNY Electronics PNY 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
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SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
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Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
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