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AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
37
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.7
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
26
读取速度,GB/s
15.4
19.7
写入速度,GB/s
9.2
15.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
3832
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
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