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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
36
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
33
读取速度,GB/s
14.8
16.6
写入速度,GB/s
8.7
13.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
3141
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
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