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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
36
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
33
读取速度,GB/s
14.8
16.6
写入速度,GB/s
8.7
13.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
3141
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PNY Electronics PNY 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
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