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AMD R5S38G1601U2S 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
37
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
32
读取速度,GB/s
15.4
16.0
写入速度,GB/s
9.2
10.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2714
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
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