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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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需要考虑的原因
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
37
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
23
读取速度,GB/s
15.4
16.4
写入速度,GB/s
9.2
11.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2605
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
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