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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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需要考虑的原因
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
37
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
29
读取速度,GB/s
15.4
16.2
写入速度,GB/s
9.2
12.0
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2950
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
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