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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
37
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
35
读取速度,GB/s
15.4
15.7
写入速度,GB/s
9.2
11.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2767
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
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