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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
57
左右 35% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.1
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
57
读取速度,GB/s
15.4
19.1
写入速度,GB/s
9.2
10.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2377
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
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