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AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
57
左右 35% 更低的延时
需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.1
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
57
读取速度,GB/s
15.4
20.1
写入速度,GB/s
9.2
9.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2328
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较
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AMD R538G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
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