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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
47
左右 9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
9.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
47
读取速度,GB/s
14.9
11.8
写入速度,GB/s
9.6
9.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2323
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
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Kingston 9905663-008.A00G 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
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