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AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
77
左右 52% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.2
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
15.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
77
读取速度,GB/s
15.4
15.5
写入速度,GB/s
9.2
8.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
1809
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
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