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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
比较
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
总分
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
总分
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
46
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
37
读取速度,GB/s
11.6
15.3
写入速度,GB/s
8.0
12.9
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1854
2973
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
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