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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
50
87
左右 -74% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
50
读取速度,GB/s
3,155.6
10.2
写入速度,GB/s
870.4
7.3
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2248
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
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